RDR005N25TL دیتاشیت

RDR005N25TL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RDR005N25TL
حجم فایل 76.595 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RDR005N25TL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RDR005N25TL
  • Power Dissipation (Pd): 540mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 3.5nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 250V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 70pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 500mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.8Ω@250mA,10V
  • Package: SC-96
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه